应用报告
- AB-036通过极谱法对金属离子半波电位进行测定
在下表中，列出了 90 金属离子的半波电位和峰值电位。除非另有说明，半波电位（以电压表示）均是在 25℃ 下通过滴汞电极（DME）测定的。
- AB-089阳极氧化池的电位分析
本文介绍用于控制硫酸和铬酸阳极氧化池的电位滴定方法。除主要成分铝、硫酸和铬酸外，还将测定氯化物、草酸和硫酸。
- AB-121使用离子选择性电极测定硝酸盐
多年来人们都知道，从食品中摄入过多的硝酸盐会引起发绀，特别是小孩和易病的成年人。根据世界卫生组织的标准，危险等级为质量浓度 c (NO3-) ≥ 50 mg/L。但是，最近的研究表明，当人体中的硝酸盐浓度过高时，它们会（通过亚硝酸盐）致癌，甚至会产生危险的亚硝胺。用来测定硝酸盐阴离子的已知光度测量法非常耗时，而且易受各种干扰。随着硝酸盐分析的重要性不断提高，采用选择性的、快速的、比较准确的方法的需求也在增加。本 Application Bulletin 描述了这种方法。附录提供了一些应用实例，其中包括对水样、土壤提取物、肥料、蔬菜和饮料中硝酸盐浓度的测定。
- AB-130用电位指示法进行氯离子滴定
除了酸碱滴定之外，对氯离子的滴定是最常用的滴定分析方法之一。 几乎在每一个实验室都频繁用到氯离子滴定法。 本应用报告说明了如何使用自动滴定仪测定浓度范围很宽的氯离子。 通常使用硝酸根作为滴定剂。 （由于环境保护的原因，应禁用硝酸汞）。 滴定剂浓度取决于待分析样品中的氯离子浓度。 对于氯离子含量较低的样品，正确地选用电极尤其重要。
- AB-132采用极谱法测定铁含量很高的材料中的钼
本应用报告描述了一种分析方法，可测定含较高浓度铁的钢材及其它材料中的钼。 采用催化极谱法，以滴汞电极的模式测定Mo（VI）。 测定限大约为10 μg/L Mo（VI）。
- AB-176通过阳极溶出伏安法对铅和锡进行测定
在大多数电解质中，铅和锡的峰值电位非常接近，所以根本无法使用伏安法测定。特别是当其中一种金属过量时，尤其困难。方法 1 描述了 Pb 和 Sn 的测定。它在添加十六烷基三甲基溴化铵的情况下使用了阳极溶出伏安法。当我们主要对 Pb 感兴趣Pb 过量Sn/Pb 的比例不超过 200：1，使用该方法。根据方法 1，如果浓度差异不是很大且没有 Cd，可以对 Sn 和 Pb 同时进行测定。当 Sn 和 Pb 痕量存在或有干扰TI 和/或 Cd 离子存在时，使用方法 2。这种方法也在添加了亚甲基蓝的草酸盐缓冲液中使用了差示脉冲阳极溶出伏安法。
- AB-192通过极谱法和阴极溶出伏安法对较低 mg/L 和 µg/L 范围内的硫脲进行测定
硫脲可以和汞形成高度不溶性的化合物。所得到的阳极波用于硫脲的极谱测定。对于非常少量（μg/ L）的分析，则使用了阴极溶出伏安法。在两种情况下，都用到了差分脉冲测量模式。
- AB-196通过极谱法对甲醛进行测定
甲醛可以通过 DME（滴汞电极）进行还原测定。取决于样品组成，可以直接测定样品中的甲醛。如果发生了干扰，则有必要进行样品前处理，例如，吸附、提取、或是蒸馏。共描述了两种方法。在第一种方法中，在碱性溶液中对甲醛进行直接还原。浓度较高的碱金属或碱土金属都会产生干扰。在这样的情况下，应使用第二种方法。甲醛是胺生成腙时的衍生物，它可以在酸性溶液中通过极谱法进行测量。
- AB-420用动态调整添加量的 «smartDT» 校准技术通过 CVS 循环伏安溶出法测定抑制剂
本应用报告描述使用 smartDT 在酸性铜浴中的抑制剂测定。通过稀释滴定法（Dilution Titration，DT）测定抑制剂时需要添加多种标准溶液或样品，直到达到评估比例。一般情况下以固定等距加量方式进行。使用 smartDT 时则可自动根据软件计算来调节添加量。开始的时候添加量较大。越接近评估比例则添加量就越小，以便确保得出准确结果。由用户确定头一次添加量和最小添加量。其他添加量则将由软件根据分析进行程度计算得出。与传统的 DT 稀释滴定法相比，每次测定均可节省 20 至 40 % 的时间。smartDT 适用于非线性和二次回归以及线性内插。它可用于在酸性铜浴以及锡和锡浴中测定抑制剂。此时可使用 1、2 和 3 mm 的 Pt 铂工作电极。800 Dosino 可用于自动添加抑制剂标准溶液或样品。此方法也可集成于全自动化的 CVS 系统中。
- AN-EC-011使用 Autolab 旋转环盘电极 (RRDE) 研究铜电沉积的中间体
铜可以说是技术上最相关的金属之一，尤其是对于半导体行业。在该行业中使用的沉积工艺被称为双镶嵌工艺，该工艺涉及在添加剂的存在下从酸性铜化合物中电沉积铜。本 Application Note 说明了使用 Autolab 旋转环盘电极 (RRDE) 研究铜的电沉积和 Cu+中间体的检测。
- AN-H-005亚铁离子存在下亚铜离子的测定
在亚铁离子存在的情况下测定电化学铜电解溶液中的亚铜离子。
- AN-H-021铜精炼溶液中游离酸的测定
铜精炼溶液中游离酸的测定。
- AN-H-070在用于铜精炼的溶液中测定铁（III）和铜（II）离子
通过温度滴定法测定用于铜精炼的溶液中的 Fe 和 Cu。人们发现，在某些用于铜精炼的溶液中，无法采用传统的方法掩蔽 Fe，以便使用碘量法来测定 Cu。
- AN-I-004铜电镀槽中硝酸根的含量
铜电镀槽中硝酸根转变为铵离子后硝酸根的测定。使用铵离子选择性电极采用直接电势法。
- AN-PAN-1067电镀铜过程中有机添加剂的在线分析
监控镀铜液中的有机添加剂至关重要。2060 CVS 过程分析仪通过提供精确的镀液控制来优化电镀铜过程。
- AN-S-316用离子色谱和瑞士万通英蓝阳离子消除及柱切换技术测定铜槽液中的光亮剂
为能使良好表面具有高度光泽，在电镀槽液中使用了专用光亮剂。光亮剂的浓度须始终恒定，以确保终产品的质量稳定。本应用报告描述如何并行通过 IC（离子色谱）和 CVS（循环伏安溶出法）确定光亮剂。您可在 AN-V-183 中找到相应的 CVS 应用。
- AN-T-022镉、铜、铅和锌的碱性电镀液中的氰化物
使用硝酸银和银电极采用电位滴定法测定碱性镀槽中的氰化物。
- AN-T-023镉、铜、铅和锌的碱性电镀液中的氢氧化物和碳酸盐
使用盐酸和复合玻璃电极采用电位滴定法测定碱性电镀槽中氢氧化物和碳酸盐。
- AN-T-024镉、铜、铅和锌的碱性电镀液中金属的含量
使用 EDTA 和 Cu ISE采用电位滴定法测定碱性电镀槽中的镉、铜、铅、锌。
- AN-T-100酸性铜浴中的氯化物的测定
酸性铜浴主要用于半导体晶片上的铜沉积。少量的氯化物可提高沉积速度并减少阳极极化。然而，较高的浓度会降低铜沉积的质量，因此并不可取。因此，监测氯化物的用量对于实现有效而高质量的铜沉积过程非常重要。在本应用说明中，介绍了一种基于滴定的全自动解决方案。与离子色谱法相比，滴定法的优点是无需稀释样品，而且硬件价格相对较低。此外，全自动解决方案还能让用户非常大限度地减少处理错误，减轻工作量，并保证非常好的重现性。
- AN-T-223电镀槽分析
电镀工艺用于多个不同的工业领域，以保护各种产品的表面质量，防止腐蚀或磨损，并显著提高其使用寿命。定期检查电镀液成分以确保工艺正常运行至关重要。 典型的电镀槽包括碱性脱脂槽或含有铜、镍或铬等金属或氯化物和氰化物等成分的酸性或碱性槽。选择的分析技术必须符合此类分析的高安全标准，并能得出可靠的结果，这一点至关重要。 OMNIS 样品机器人系统可在不同的工作站上自动移取和分析侵蚀性电镀液样品，从而提高了实验室的安全性。与手动滴定相比，该系统可提供更可靠的结果，而且由于可同时分析不同的参数，因此更节省时间。
- AN-V-133酸性铜槽液中的抑制剂“Copper Gleam 2001 Carrier” （Rohm and Haas）
采用循环溶出伏安法（CVS）使用稀释滴定技术（DT）测定酸性铜槽液中的抑制剂«Copper GleamTM 2001 Carrier。
- AN-V-134酸性铜槽液中的光亮剂“Copper Gleam 2001 Additive” （Rohm and Haas）
采用循环溶出伏安法（CVS）使用modified linear approximation技术（MLAT）测定酸性铜槽液中的光亮剂« Copper GleamTM 2001 Additive
- AN-V-135酸性铜槽液中的抑制剂 Cupracid BL-CT （Atotech）
采用循环溶出伏安法（CVS）使用稀释滴定技术（DT）测定酸性铜槽液中的抑制剂 «Cupracid BL-CT。
- AN-V-136酸性铜槽液中的光亮剂 Cupracid BL （Atotech）
采用循环溶出伏安法（CVS）使用linear approximation技术（LAT）测定酸性铜槽液中的光亮剂« Cupracid BL
- AN-V-137酸性铜槽液中的抑制剂 Cupraspeed （Atotech）
采用循环溶出伏安法（CVS）使用稀释滴定技术（DT）测定酸性铜槽液中的抑制剂 «Cupraspeed。
- AN-V-138酸性铜槽液中的光亮剂« Cupraspeed （Atotech） »
采用循环溶出伏安法（CVS）使用modified linear approximation技术（MLAT）测定酸性铜槽液中的光亮剂« Cupraspeed
- AN-V-140酸性铜槽液中的Sb（总）
使用阳极溶出伏安法在盐酸电解液中测定一种酸性铜槽液中的Sb（总）浓度。 由于铜过量，选择沉积电位时，沉积电位必须比锑信号仅负50毫伏
- AN-V-141酸性铜槽液中的抑制剂 MACuSpec PPR 100 Wetter （MacDermid）
采用循环溶出伏安法（CVS）使用稀释滴定技术（DT）测定酸性铜槽液中的抑制剂«MACuSpecTM PPR 100 Wetter。
- AN-V-142酸性铜槽液中的光亮剂« MACuSpec PPR 100 （MacDermid）»
采用溶出循环伏安法（CVS）使用modified linear approximation技术（MLAT）测定酸性铜槽液中的光亮剂« MACuSpecTM PPR 100 Brightener
- AN-V-143酸性铜槽液中的抑制剂 Multibond 100 Part A20 （MacDermid）
采用循环溶出伏安法（CVS）使用稀释滴定技术（DT）测定一种酸性铜槽液中的抑制剂«MultiBondTM 100 Part A20。
- AN-V-146酸性铜槽液中的抑制剂 InPulse H6 （Atotech）
采用循环溶出伏安法（CVS）使用稀释滴定技术（DT）测定酸性铜槽液中的抑制剂 «InPulse H6。
- AN-V-147酸性铜槽液中的光亮剂« InPulse H6 （Atotech） »
采用脉冲循环溶出伏安法（CPVS）使用modified linear approximation技术（MLAT）测定酸性铜槽液中的光亮剂« InPulse H6
- AN-V-155酸性铜槽液中的抑制剂 Thrucup EVF-B (Uyemura)
采用循环溶出伏安法（CVS）使用稀释滴定技术（DT）测定酸性铜槽液中的抑制剂 «Thru-Cup EVF-B。
- AN-V-156酸性铜槽液中的光亮剂Thrucup EVF-1A（Uyemura）
采用溶出循环伏安法（CVS）使用modified linear approximation技术（MLAT）测定酸性铜槽液中的光亮剂« Thru-Cup EVF-1A
- AN-V-157酸性铜槽液中的Leveler Thrucup (Uyemura)
采用溶出循环伏安法（CVS）使用response curve technique 技术（RC）测定酸性铜槽液中的 leveler «Thru-Cup EVF-R。
- AN-V-161氰化镀铜（cyanidic Cu）槽液中的Cu
采用极谱法测定一种氰化镀铜（cyanidic Cu）槽液中的Cu浓度。
- AN-V-182酸性铜槽液中的抑制剂«Top Lucina a-M»（Okuno Chemical Industries）
采用循环溶出伏安法（CVS）使用稀释滴定技术（DT）测定酸性铜槽液中的抑制剂«Top Lucina α-M。
- AN-V-183酸性铜槽液中的光亮剂«Top Lucina α-2» （Okuno Chemical Industries）
采用循环溶出伏安法（CVS）使用modified linear approximation技术（MLAT）测定酸性铜槽液中的光亮剂«Top Lucina α-2
- AN-V-184酸性铜槽液中的Leveler «Top Lucina a-3»（Okuno Chemical Industries）
采用溶出循环伏安法（CVS）使用response curve technique 技术（RC）测定酸性铜槽液中的 leveler «Top Lucina α-3。
- AN-V-202使用 smartDT 在酸性铜浴中测定抑制剂
通过稀释滴定法（Dilution Titration，DT）测定抑制剂时需要添加多种标准溶液或样品，直到达到评估比例。一般情况下以固定等距加量方式进行。使用 smartDT 时则可自动根据软件计算来调节添加量。开始的时候添加量较大。越接近评估比例则添加量就越小，以便确保得出准确结果。由用户确定第一次添加量和最小添加量。其他添加量则将由软件根据分析进行程度计算得出。使用可智能化计算添加量的 smartDT 能够大幅度加快抑制剂的测定。并且其精确度等同甚至高于使用传统的 DT 稀释滴定法。每次测定均可节省 20 至 40 % 的时间。
- AN-V-203测定生产 CIGS 太阳能电池的电解液中的铜
本 Application Note 介绍使用极谱法测定生产铜铟镓硒薄膜太阳能电池（即为 CIGS 电池）的电镀池中的铜。CIGS 吸收层将电解沉积在涂覆钼的基材上。用硫酸将样品稀释之后作为支持电解质进行铜的测定。
- AN-V-204测定生产 CIGS 太阳能电池的电解液中的铟
本 Application Note 介绍使用极谱法测定生产铜铟镓硒薄膜太阳能电池（即为 CIGS 电池）的电镀池中的铟。CIGS 吸收层将电解沉积在涂覆钼的基材上。用硫酸将池样品稀释之后作为支持电解质进行铟的测定。
- AN-V-205测定生产 CIGS 太阳能电池的电解液中的镓
本 Application Note 介绍使用极谱法测定生产铜铟镓硒薄膜太阳能电池（即为 CIGS 电池）的电镀池中的镓。CIGS 吸收层将电解沉积在涂覆钼的基材上。用硫酸将样品稀释之后作为支持电解质通过阳极溶出伏安测量法（ASV）进行镓的测定。
- AN-V-206测定生产 CIGS 太阳能电池的电解液中的硒
本 Application Note 介绍使用极谱法测定生产铜铟镓硒薄膜太阳能电池（即为 CIGS 电池）的电镀池中的硒。CIGS 吸收层将电解沉积在涂覆钼的基材上。用硫酸将样品稀释之后作为支持电解质进行镓的测定。
- WP-051多组分电镀浴的自动化 CVS 方法开发和优化
在过去的三十年中，循环伏安溶出法 (CVS) 已成为分析电路板和晶圆电镀行业电镀铜浴中有机添加剂的标准做法。这些电镀浴的组成的变化产生了对更优化的方法开发程序的需求。CVS 的硬件和软件协议的新进展在很大程度上简化了方法优化的整个过程。在本研究中，结合这些协议讨论了方法优化的过程。
- WP-062克服离子测量中的困难：标准加入和直接测量的技巧
离子测量可以通过几种不同的方式进行，例如离子色谱 (IC)、电感耦合等离子体发射光谱法 (ICP-OES) 或原子吸收光谱 (AAS)。其中每一项都是分析实验室中成熟、广泛使用的方法。然而，初始成本相对较高。 相比之下，使用离子选择电极 (ISE) 进行离子测量是这些昂贵技术的一种很有前途的替代方案。本 White Paper 介绍了在应用标准加入或直接测量时可能遇到的挑战以及如何克服这些挑战，以便分析人员对此类分析更有信心。
