應用領域
- AB-036通过极谱法对金属离子半波电位进行测定
在下表中,列出了 90 金属离子的半波电位和峰值电位。除非另有说明,半波电位(以电压表示)均是在 25℃ 下通过滴汞电极(DME)测定的。
- AB-089阳极氧化池的电位分析
本文介绍用于控制硫酸和铬酸阳极氧化池的电位滴定方法。除主要成分铝、硫酸和铬酸外,还将测定氯化物、草酸和硫酸。
- AB-121使用离子选择性电极测定硝酸盐
多年来人们都知道,从食品中摄入过多的硝酸盐会引起发绀,特别是小孩和易病的成年人。根据世界卫生组织的标准,危险等级为质量浓度 c (NO3-) ≥ 50 mg/L。但是,最近的研究表明,当人体中的硝酸盐浓度过高时,它们会(通过亚硝酸盐)致癌,甚至会产生危险的亚硝胺。用来测定硝酸盐阴离子的已知光度测量法非常耗时,而且易受各种干扰。随着硝酸盐分析的重要性不断提高,采用选择性的、快速的、比较准确的方法的需求也在增加。本 Application Bulletin 描述了这种方法。附录提供了一些应用实例,其中包括对水样、土壤提取物、肥料、蔬菜和饮料中硝酸盐浓度的测定。
- AB-130用电位指示法进行氯离子滴定
除了酸碱滴定之外,对氯离子的滴定是最常用的滴定分析方法之一。 几乎在每一个实验室都频繁用到氯离子滴定法。 本应用报告说明了如何使用自动滴定仪测定浓度范围很宽的氯离子。 通常使用硝酸根作为滴定剂。 (由于环境保护的原因,应禁用硝酸汞)。 滴定剂浓度取决于待分析样品中的氯离子浓度。 对于氯离子含量较低的样品,正确地选用电极尤其重要。
- AB-132采用极谱法测定铁含量很高的材料中的钼
本应用报告描述了一种分析方法,可测定含较高浓度铁的钢材及其它材料中的钼。 采用催化极谱法,以滴汞电极的模式测定Mo(VI)。 测定限大约为10 μg/L Mo(VI)。
- AB-176通过阳极溶出伏安法对铅和锡进行测定
在大多数电解质中,铅和锡的峰值电位非常接近,所以根本无法使用伏安法测定。特别是当其中一种金属过量时,尤其困难。方法 1 描述了 Pb 和 Sn 的测定。它在添加十六烷基三甲基溴化铵的情况下使用了阳极溶出伏安法。当我们主要对 Pb 感兴趣Pb 过量Sn/Pb 的比例不超过 200:1,使用该方法。根据方法 1,如果浓度差异不是很大且没有 Cd,可以对 Sn 和 Pb 同时进行测定。当 Sn 和 Pb 痕量存在或有干扰TI 和/或 Cd 离子存在时,使用方法 2。这种方法也在添加了亚甲基蓝的草酸盐缓冲液中使用了差示脉冲阳极溶出伏安法。
- AB-192通过极谱法和阴极溶出伏安法对较低 mg/L 和 µg/L 范围内的硫脲进行测定
硫脲可以和汞形成高度不溶性的化合物。所得到的阳极波用于硫脲的极谱测定。对于非常少量(μg/ L)的分析,则使用了阴极溶出伏安法。在两种情况下,都用到了差分脉冲测量模式。
- AB-196通过极谱法对甲醛进行测定
甲醛可以通过 DME(滴汞电极)进行还原测定。取决于样品组成,可以直接测定样品中的甲醛。如果发生了干扰,则有必要进行样品前处理,例如,吸附、提取、或是蒸馏。共描述了两种方法。在第一种方法中,在碱性溶液中对甲醛进行直接还原。浓度较高的碱金属或碱土金属都会产生干扰。在这样的情况下,应使用第二种方法。甲醛是胺生成腙时的衍生物,它可以在酸性溶液中通过极谱法进行测量。
- AB-420用动态调整添加量的 «smartDT» 校准技术通过 CVS 循环伏安溶出法测定抑制剂
本应用报告描述使用 smartDT 在酸性铜浴中的抑制剂测定。通过稀释滴定法(Dilution Titration,DT)测定抑制剂时需要添加多种标准溶液或样品,直到达到评估比例。一般情况下以固定等距加量方式进行。使用 smartDT 时则可自动根据软件计算来调节添加量。开始的时候添加量较大。越接近评估比例则添加量就越小,以便确保得出准确结果。由用户确定头一次添加量和最小添加量。其他添加量则将由软件根据分析进行程度计算得出。与传统的 DT 稀释滴定法相比,每次测定均可节省 20 至 40 % 的时间。smartDT 适用于非线性和二次回归以及线性内插。它可用于在酸性铜浴以及锡和锡浴中测定抑制剂。此时可使用 1、2 和 3 mm 的 Pt 铂工作电极。800 Dosino 可用于自动添加抑制剂标准溶液或样品。此方法也可集成于全自动化的 CVS 系统中。
- AN-EC-011使用 Autolab 旋转环盘电极 (RRDE) 研究铜电沉积的中间体
铜可以说是技术上最相关的金属之一,尤其是对于半导体行业。在该行业中使用的沉积工艺被称为双镶嵌工艺,该工艺涉及在添加剂的存在下从酸性铜化合物中电沉积铜。本 Application Note 说明了使用 Autolab 旋转环盘电极 (RRDE) 研究铜的电沉积和 Cu+中间体的检测。